GL4 R D研發(fā)型納米壓印光刻設(shè)備

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簡要描述：GL4 R D研發(fā)型納米壓印光刻設(shè)備是一種專門為大學(xué)、科研院所和企業(yè)產(chǎn)品研發(fā)所設(shè)計，功能強大的多功能研發(fā)型納米壓印光刻設(shè)備。通過簡單的夾具更換，可以實現(xiàn)旋涂壓印膠高精度納米結(jié)構(gòu)壓印和點膠大矢高結(jié)構(gòu)自動找平壓印模式之間的快速切換。

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GL4 R D研發(fā)型多功能納米壓印光刻設(shè)備是一種專門為大學(xué)、科研院所和企業(yè)產(chǎn)品研發(fā)所設(shè)計，功能強大的多功能研發(fā)型納米壓印光刻設(shè)備。通過簡單的夾具更換，可以實現(xiàn)旋涂壓印膠高精度納米結(jié)構(gòu)壓印和點膠大矢高結(jié)構(gòu)自動找平壓印模式之間的快速切換?？蓪崿F(xiàn)直徑100mm以下基底面積上高精度（優(yōu)于10nm * ）、高深寬比（優(yōu)于10比1 * ）以及微透鏡陣列等微納結(jié)構(gòu)壓印，適合用作紫外納米壓印光刻工藝開發(fā)，器件原型快速驗證，納米壓印材料測試等研發(fā)。它沿用天仁微納量產(chǎn)型納米壓印設(shè)備的工藝與材料體系，在GL4 R&D上開發(fā)的工藝可以無障礙轉(zhuǎn)移到量產(chǎn)設(shè)備上進行生產(chǎn)。

GL4 R&D納米壓印設(shè)備適用于DOE、AR/VR衍射光波導(dǎo)（包括斜齒光柵）、線光柵偏振、超透鏡、生物芯片、LED、微透鏡陣列、勻光片等應(yīng)用領(lǐng)域的研發(fā)。

主要功能

●沿用天仁微納量產(chǎn)型納米壓印設(shè)備的工藝與材料體系，開發(fā)的工藝可以無障礙轉(zhuǎn)移到量產(chǎn)設(shè)備上進行生產(chǎn)
●可實現(xiàn)旋涂膠基底壓印和點膠自動找平壓印模式間快速切換
●壓印面積Φ100mm
●設(shè)備內(nèi)可自動復(fù)制柔性復(fù)合工作模具
●壓印旋涂膠基底模式可實現(xiàn)自動壓印、自動曝光固化、自動脫模
●點膠壓印模式可實現(xiàn)自動找平，實現(xiàn)微米級TTV控制，內(nèi)置自動點膠功能
●標(biāo)配高功率紫外LED面光源（365nm，光強>300mW/cm2 ），支持各種納米壓印材料

●可選配模具基底對位系統(tǒng)

●隨機提供全套納米壓印工藝與材料，包括DOE、AR斜齒光柵、高密度、高深寬比結(jié)構(gòu)、微透鏡陣列、勻光片結(jié)構(gòu)等工藝流程，幫助客戶零門檻達到國際的納米壓印水平

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兼容基底尺寸	直徑≤100mm
支持基底材料	硅片、玻璃、石英、塑料、金屬等
納米壓印技術(shù)	旋涂膠基底高精度壓印&點膠自動找平壓印旋涂膠基底壓印模式點膠自動找平壓印模式
壓印精度	優(yōu)于10納米*
結(jié)構(gòu)深寬比	優(yōu)于10比1*
殘余層控制	可小于10nm* 微米級TTV控制精度
紫外固化光源	紫外LED（365nm）面光源，光強>300mW/cm2
自動壓印	支持支持
自動脫模	支持支持
自動工作模具復(fù)制	支持支持
主動找平壓印	- 支持
模自動點膠	支持	模具基底對位系統(tǒng)	手動對位（選配）
上下片方式	手動上下片

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